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STPSC1206D - SiC-Schottkydiode, 600V, 12A, TO220AC
Diese Dioden werden aus Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material unterstützt die Herstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit hoher Spannungsangabe. Solche Dioden weisen keine oder nur geringe Erholungseigenschaften auf. Die Rückgewinnungseigenschaften sind unabhängig von der Temperatur. Der Einsatz dieser Dioden reduziert die Schaltleistungsverluste des zugehörigen MOSFETs erheblich und erhöht damit den Wirkungsgrad der Gesamtanwendung. Diese Dioden übertreffen dann die Leistungsfaktorkorrekturschaltung, die unter harten Schaltbedingungen arbeitet. Merkmale • Keine Rückwärtswiederherstellung • Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur • geeignet für PFC-Korrektur
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IDH16G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 16A, TO220ACCoolSiCTM SiC Schottky Diode Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung • positiver Temperaturkoeffizient • niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen • hervorragende Wärmeleitung • erweiterte Stoßstromfähigkeit • spezifizierte dv/dt Robustheit • qualifiziert nach JEDEC • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder • reduzierte EMI • höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich • robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen • hohe Zuverlässigkeit • Weiterführende Links: www.infineon.com/sic Anwendungen • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgungen • Motorantriebe • Leistungsfaktorkorrektur Paket-Pin-Definitionen • Pin 1 und Rückseite - Kathode • Pin 2 - Anode7,50 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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ARCHIVMAGAZIN. Beiträge aus dem Rudolf Steiner ArchivARCHIVMAGAZIN. Beiträge aus dem Rudolf Steiner Archiv , Archivmagazin 14/2024 1906 schloss Rudolf Steiner mit Theodor Reuß, einem Vertreter der Hochgradfreimaurerei, einen Vertrag, der ihm formell die Durchführung maurerischer Rituale gestattete. Bis zum Ausbruch des Ersten Weltkriegs vollzog Steiner entsprechende kultische Handlungen. Das Archivmagazin Nr. 14 publiziert im Rudolf Steiner Archiv vorhandene Dokumente zu der masonischen Tätigkeit Rudolf Steiners und untersucht das zunehmend ambivalente Verhältnis Steiners zur Freimauerei, so seine im Verlauf des Ersten Weltkriegs immer deutlichere Kritik und seine Unterstützung von Karl Heises Publikation 'Entente-Freimaurerei und Weltkrieg' (1919). In einem Beitrag über die Zeitgeschichtlichen Betrachtungen (1916/17) beleuchtet Markus Osterrieder Steiners kritische Einschätzung des Einflusses gewisser freimaurerischer Kreise auf den Ersten Weltkrieg. Ergänzt wird dieser umfangreiche Schwerpunkt durch eine biografisch fundierte Studie, in der sich der Historiker Volker Frielingsdorf mit Rudolf Steiners Beziehung zu Generalstabschef Helmuth von Moltke d. J. auseinandersetzt. Abgedruckt ist ferner ein bisher unbeachteter zeitgenössischer Teilnehmerbericht über drei Versammlungen vom Oktober 1912, auf denen die Gründung des 'Bundes' (der Keimzelle der Anthroposophischen Gesellschaft) diskutiert wurde. Er erschien erstmals im Dezember 1912 in der von Annie Besant herausgegebenen Zeitschrift The Theosophist, etwa zeitgleich mit der offiziellen Aufnahme der ersten Mitglieder der Anthroposophischen Gesellschaft. , Ölfilter > Motoren & Motorteile , Erscheinungsjahr: 202412, Titel der Reihe: Archivmagazin / Beiträge aus dem Rudolf Steiner Archiv#14#, Redaktion: Rudolf, Steiner~Hoffmann, David Marc, Seitenzahl/Blattzahl: 192, Abbildungen: Mit zahlreichen Abbildungen, Keyword: Anthroposophie; Dornach; Goetheanum; Haus Duldeck; Karma; Reinkarnation; Rudolf Steiner; Rudolf Steiner Archiv; Rudolf Steiner Gesamtausgabe; Rudolf Steiner Nachlassverwaltung, Fachschema: Anthroposophie~Theosophie, Warengruppe: HC/Anthroposophie, UNSPSC: 49019900, Warenverzeichnis für die Außenhandelsstatistik: 49019900, Länge: 204, Breite: 128, Höhe: 17, Gewicht: 246, Produktform: Klappenbroschur, Genre: Sachbuch/Ratgeber,24,80 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C4D02120A - SiC-Schottkydiode, 1200V, 5A, TO220ACMerkmale • 1,2kV Schottky Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Hochfrequenzbetrieb • temperaturunabhängiges Schalten • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler1,85 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C3D12065A - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220ACMerkmale • 650-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler5,57 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
C3D06060A - SiC-Schottkydiode, 600V, 9A, TO220AC
Merkmale • 600-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler
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IDH08G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 8A, TO220AC
5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung
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STPSC1206D - SiC-Schottkydiode, 600V, 12A, TO220ACDiese Dioden werden aus Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material unterstützt die Herstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit hoher Spannungsangabe. Solche Dioden weisen keine oder nur geringe Erholungseigenschaften auf. Die Rückgewinnungseigenschaften sind unabhängig von der Temperatur. Der Einsatz dieser Dioden reduziert die Schaltleistungsverluste des zugehörigen MOSFETs erheblich und erhöht damit den Wirkungsgrad der Gesamtanwendung. Diese Dioden übertreffen dann die Leistungsfaktorkorrekturschaltung, die unter harten Schaltbedingungen arbeitet. Merkmale • Keine Rückwärtswiederherstellung • Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur • geeignet für PFC-Korrektur5,21 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDH16G120C5 - SiC-Schottkydiode, 1200V, 16A, TO220ACCoolSiCTM SiC Schottky Diode Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung • positiver Temperaturkoeffizient • niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen • hervorragende Wärmeleitung • erweiterte Stoßstromfähigkeit • spezifizierte dv/dt Robustheit • qualifiziert nach JEDEC • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder • reduzierte EMI • höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich • robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen • hohe Zuverlässigkeit • Weiterführende Links: www.infineon.com/sic Anwendungen • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgungen • Motorantriebe • Leistungsfaktorkorrektur Paket-Pin-Definitionen • Pin 1 und Rückseite - Kathode • Pin 2 - Anode7,50 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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ARCHIVMAGAZIN. Beiträge aus dem Rudolf Steiner ArchivARCHIVMAGAZIN. Beiträge aus dem Rudolf Steiner Archiv , Archivmagazin 14/2024 1906 schloss Rudolf Steiner mit Theodor Reuß, einem Vertreter der Hochgradfreimaurerei, einen Vertrag, der ihm formell die Durchführung maurerischer Rituale gestattete. Bis zum Ausbruch des Ersten Weltkriegs vollzog Steiner entsprechende kultische Handlungen. Das Archivmagazin Nr. 14 publiziert im Rudolf Steiner Archiv vorhandene Dokumente zu der masonischen Tätigkeit Rudolf Steiners und untersucht das zunehmend ambivalente Verhältnis Steiners zur Freimauerei, so seine im Verlauf des Ersten Weltkriegs immer deutlichere Kritik und seine Unterstützung von Karl Heises Publikation 'Entente-Freimaurerei und Weltkrieg' (1919). In einem Beitrag über die Zeitgeschichtlichen Betrachtungen (1916/17) beleuchtet Markus Osterrieder Steiners kritische Einschätzung des Einflusses gewisser freimaurerischer Kreise auf den Ersten Weltkrieg. Ergänzt wird dieser umfangreiche Schwerpunkt durch eine biografisch fundierte Studie, in der sich der Historiker Volker Frielingsdorf mit Rudolf Steiners Beziehung zu Generalstabschef Helmuth von Moltke d. J. auseinandersetzt. Abgedruckt ist ferner ein bisher unbeachteter zeitgenössischer Teilnehmerbericht über drei Versammlungen vom Oktober 1912, auf denen die Gründung des 'Bundes' (der Keimzelle der Anthroposophischen Gesellschaft) diskutiert wurde. Er erschien erstmals im Dezember 1912 in der von Annie Besant herausgegebenen Zeitschrift The Theosophist, etwa zeitgleich mit der offiziellen Aufnahme der ersten Mitglieder der Anthroposophischen Gesellschaft. , Ölfilter > Motoren & Motorteile , Erscheinungsjahr: 202412, Titel der Reihe: Archivmagazin / Beiträge aus dem Rudolf Steiner Archiv#14#, Redaktion: Rudolf, Steiner~Hoffmann, David Marc, Seitenzahl/Blattzahl: 192, Abbildungen: Mit zahlreichen Abbildungen, Keyword: Anthroposophie; Dornach; Goetheanum; Haus Duldeck; Karma; Reinkarnation; Rudolf Steiner; Rudolf Steiner Archiv; Rudolf Steiner Gesamtausgabe; Rudolf Steiner Nachlassverwaltung, Fachschema: Anthroposophie~Theosophie, Warengruppe: HC/Anthroposophie, UNSPSC: 49019900, Warenverzeichnis für die Außenhandelsstatistik: 49019900, Länge: 204, Breite: 128, Höhe: 17, Gewicht: 246, Produktform: Klappenbroschur, Genre: Sachbuch/Ratgeber,24,80 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C3D12065A - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220ACMerkmale • 650-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler5,57 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C3D06060A - SiC-Schottkydiode, 600V, 9A, TO220ACMerkmale • 600-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler2,15 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDH08G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 8A, TO220AC5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung1,46 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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